规格书 |
SP(P,I,A)08N50C3 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
产品培训模块 | |
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 560V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 7.6A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 3.9V @ 350µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 32nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 750pF @ 25V |
功率 - 最大 | 83W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-220-3 |
供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-220AB |
通道模式 | Enhancement |
最大漏源电压 | 560 V |
最大连续漏极电流 | 7.6 A |
RDS -于 | 600@10V mOhm |
最大门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 6 ns |
典型上升时间 | 5 ns |
典型关闭延迟时间 | 60 ns |
典型下降时间 | 7 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Rail / Tube |
最大门源电压 | ±20 |
包装宽度 | 4.4 |
PCB | 3 |
最大功率耗散 | 83000 |
最大漏源电压 | 560 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最大漏源电阻 | 600@10V |
每个芯片的元件数 | 1 |
最低工作温度 | -55 |
供应商封装形式 | TO-220AB |
标准包装名称 | TO-220 |
最高工作温度 | 150 |
渠道类型 | N |
包装长度 | 10 |
引脚数 | 3 |
包装高度 | 9.25 |
最大连续漏极电流 | 7.6 |
标签 | Tab |
铅形状 | Through Hole |
P( TOT ) | 83W |
匹配代码 | SPP08N50C3 |
R( THJC ) | 1.5K/W |
LogicLevel | NO |
单位包 | 50 |
标准的提前期 | 13 weeks |
最小起订量 | 500 |
Q(克) | 32nC |
LLRDS (上) | n.s.Ohm |
汽车 | NO |
LLRDS (上)在 | n.s.V |
我(D ) | 7.6A |
V( DS ) | 500V |
技术 | CoolMOS C3 |
的RDS(on ) at10V | 0.6Ohm |
无铅Defin | RoHS-conform |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 7.6A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 3.9V @ 350µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 560V |
供应商设备封装 | PG-TO220-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 600 mOhm @ 4.6A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 83W |
封装/外壳 | TO-220-3 |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 750pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 32nC @ 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 500 |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 7.6 A |
零件号别名 | SP000013834 SPP08N50C3HKSA1 |
下降时间 | 7 ns |
安装风格 | Through Hole |
产品种类 | MOSFET |
商品名 | CoolMOS |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
系列 | SPP08N50 |
RDS(ON) | 600 mOhms |
功率耗散 | 83 W |
最低工作温度 | - 55 C |
上升时间 | 5 ns |
漏源击穿电压 | 560 V |
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